Im Zuge der Miniaturisierung von Halbleiterbauelementen und -systemen sind entscheidende Funktionen auf Dünnschichten übergegangen. Bislang erzeugt man einkristalline Schichten auf hochgradig polierten Kristallscheiben (Wafern) hauptsächlich durch epitaktisches Wachstum. Da eine epitaktische Dünnschicht jedoch nahezu paßfähig zum Kristallgitter des Wafers wächst, bedeutet dies Einschränkungen in der Wahl des Schichtmaterials, seiner Gitterkonstanten und seiner kristallographischen Orientierung. Wesentlich flexiblere Möglichkeiten bietet das sog. Wafer-Direktbonden: Gegen einen Substratwafer wird durch direkten atomaren Kontakt sauberer Oberflächen (also ohne Klebschicht) ein zweiter Wafer "angesprengt". Er stellt - ganz unabhängig vom Substratwafer - das gewünschte Material der Dünnschicht zur Verfügung und wird bis auf die erforderliche Schichtdicke abgetragen. Dieses Verfahren ist allerdings aufwendig und opfert einen Wafer. Wirtschaftlicher und eleganter ist demgegenüber das "Absprengen" des Wafers unter Zurücklassen einer vorherbestimmten Schichtdicke. Dies gelingt unter Vorgabe einer definierten Rißebene mit dem sog. Smart-cut-Verfahren.

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